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真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類(lèi),即物理氣相沉積(PVD)技術(shù)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。
物理氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。物理氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材廣泛、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí),物理氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下,因此可作為最終的處理工藝用于高速鋼和硬質(zhì)合金類(lèi)的薄膜刀具上。由于采用物理氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能,人們?cè)诟?jìng)相開(kāi)發(fā)高性能、高可靠性設(shè)備的同時(shí),也對(duì)其應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展,尤其是在高速鋼、硬質(zhì)合金和陶瓷類(lèi)刀具中的應(yīng)用進(jìn)行了更加深入的研究。
化學(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體,借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng),在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法,主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等。
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