真空鍍膜技術與濕式鍍膜技術相比較，具有下列優(yōu)點：
(1)薄膜和基體選材廣泛，薄膜厚度可進行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。
(2)在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。
(3)薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。
(4)干式鍍膜既不產生廢液，也無環(huán)境污染。
真空鍍膜技術主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學氣相沉積等多種方法。除化學氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：
(1)各種鍍膜技術都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質的不良影響。
(2)各種鍍膜技術都需要有一個蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉化成氣體。由于源或靶的不斷改進，大大擴大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。
(3)蒸發(fā)或濺射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進行比較精確的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。
(4)每種薄膜都可以通過微調閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質量分數，從而防止蒸鍍材料的氧化，把氧的質量分數降低到最小的程度，還可以充入惰性氣體等，這對于濕式鍍膜而言是無法實現的。
(5)由于鍍膜設備的不斷改進，鍍膜過程可以實現連續(xù)化，從而大大地提高產品的產量，而且在生產過程中對環(huán)境無污染。
(6)由于在真空條件下制膜，所以薄膜的純度高、密實性好、表面光亮不需要再加工，這就使得薄膜的力學性能和化學性能比電鍍膜和化學膜好。
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